V.2 Mécanisme de génération-recombinaison dans la zce

Remarque

On a considéré que la zce était une zone dénuée de porteurs libres.

Ceci est vrai en direct où le courant est élevé.

On va évaluer le courant dû à la génération de porteurs dans la zce pour une diode polarisée en inverse (zce large, courant inverse faible) pour le comparer à I s I_s :

Définition

I g = q A j δ g I_g = q A_j %delta `g

Définition

La formule de Shockley-Read donne le taux de recombinaisons : r = np − n i 2 τ ( n + p + 2 n i ) r = { np - n_i^2 } over { %tau ( n+ p + 2 n_i) } .

Remarque

Dans la zce , il y a peu de porteurs libres donc p et n ≪ n i ⇒ p n ≪ n i 2 p `"et"` n ll n_i `drarrow` p `n ll n_i^2

D'où :

Définition

r ≈ − n i 2 τ r approx - { n_i over {2 %tau} }

Remarque

En régime stationnaire, dn / dt = 0 = g − r { dn/ dt = 0 = g -r } donc g = r g=r .

Donc : I g = − q A j δ n i 2 τ I_g = - q A_j %delta` n_i over { 2 %tau } .

D'où :

Définition

I g = − q A j n i 2 τ 2 ϵ q N * ( Φ NP − V ) I_g = - q A_j n_i over { 2 %tau } sqrt {{ {2 %epsilon} over {q N^{"*"}}} ( %PHI_{NP} -V )}

Remarque

En inverse, on a donc I = − I s + I g I = - I_s + I_g

Souvent I s ≪ I g I_s ll I_g donc : I ≈ I g I approx I_g