V.4 Le coefficient de non-idéalité

Complément

Une étude plus complète de la diode montre que la caractéristique I ( V ) I( V ) est exprimée sous la forme semi-empirique :

Définition

I = I s [ exp ( V n U T ) − 1 ] I = I_s left [ exp left( V over {n U_T} right)-1 right ]

où le facteur de non-idéalité  n n varie entre n ≈ 1 n approx 1 aux tensions moyennes et n ≈ 2 n approx 2 aux très faibles tensions.

Remarque

Sans entrer dans les détails, le facteur n n varie également en fonction du semi-conducteur et des dimensions de la diode.